低頻/高頻重復(fù)經(jīng)顱磁刺激對(duì)于長(zhǎng)潛伏期聽(tīng)覺(jué)事件電位的影響

rTMS刺激采用Visor進(jìn)行導(dǎo)航（ANT, The Netherlands）。

腦電信號(hào)的采集采用64導(dǎo)電極腦電帽（ANT Neuro, The Netherlands）。數(shù)據(jù)離線處理采用帶通濾波0.53-50Hz，以全腦平均進(jìn)行重參考，0.9秒時(shí)間窗進(jìn)行分段（-0.1-0.8s）。主要關(guān)注N1和P2成分。對(duì)于N1成分，定義了3個(gè)波峰：出現(xiàn)在75ms左右的N1a，出現(xiàn)在95-100ms的N1b，出現(xiàn)在130ms左右的N1c。P2則出現(xiàn)在150-250ms之間。

03實(shí)驗(yàn)結(jié)果

發(fā)現(xiàn)了時(shí)間進(jìn)程對(duì)于振幅的主效果：N1b、N1c、P2在接受各種頻率的rTMS刺激后振幅都有所增加，然而N1a的振幅在刺激前后無(wú)顯著不同。

通過(guò)分析表面電位圖可以發(fā)現(xiàn)，在N1c的潛伏期，接受高頻rTMS刺激后受到影響的電極有大于低頻條件的趨勢(shì)。高頻rTMS產(chǎn)生的效果更早、更擴(kuò)散、更右偏側(cè)化。

溯源分析的結(jié)果揭示，對(duì)于晚期成分來(lái)說(shuō)，高頻rTMS刺激減弱了右半球更大區(qū)域及中央前回、扣帶回、內(nèi)側(cè)額回、中央后回的激活；而低頻rTMS刺激則減弱了P2成分左側(cè)額中回一小部分區(qū)域的激活。

Nathou, C., Duprey, E., Simon, G., Razafimandimby, A., Leroux, E., Dollfus, S., & Etard, O. (2018). Effects of low-and high-frequency repetitive transcranial magnetic stimulation on long-latency auditory evoked potentials. Neuroscience letters, 686, 198-204.

Doi: 10.1016/j.neulet.2018.09.002