探究與注意瞬脫現(xiàn)象中個(gè)人差有關(guān)的大腦結(jié)構(gòu)和功能連接

得到的指標(biāo)包含：T1的正確率、在T1正確的情況下T2的正確率、瞬脫幅度（ABM）= ((T2|T1lag10—T2|T1lag3)/T2|T1lag10)

圖1. 實(shí)驗(yàn)刺激及流程示意圖

2.3 數(shù)據(jù)采集和處理
通過(guò)Visor 2 (ANT Neuro, Netherlands) 精確定位線圈的刺激部位——左下額葉交界處。TMS刺激通過(guò)7mm八字形線圈施加，以13.3 Hz的頻率發(fā)出3脈沖刺激，給予時(shí)間點(diǎn)為T(mén)1/T2出現(xiàn)后的75、150、225ms，刺激強(qiáng)度為80%靜息運(yùn)動(dòng)閾值。

03 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
以是否實(shí)際施加了TMS刺激、T1和T2之間干擾子的數(shù)目為組內(nèi)要因，分別對(duì)T1目標(biāo)后及T2目標(biāo)后施加TMS刺激的情況下T2的正確率進(jìn)行方差分析。當(dāng)刺激施加在T1之后時(shí)，有刺激和干擾子數(shù)目的交互作用。具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)T2在T1之后第三個(gè)位置出現(xiàn)時(shí)，真實(shí)的TMS刺激相比偽裝刺激提高了T2的正確率。而當(dāng)刺激施加在T2之后時(shí)，無(wú)任何顯著交互作用。

對(duì)ABM進(jìn)行方差分析的結(jié)果顯示，當(dāng)在T1之后施加TMS刺激時(shí)，ABM會(huì)顯著減��；在T2后施加的TMS刺激不會(huì)產(chǎn)生此效果。

圖2. 在T1/T2之后給予真正TMS刺激和偽裝刺激條件下T2的準(zhǔn)確率

圖3. 在T1/T2之后給予真正TMS刺激和偽裝刺激條件下的瞬脫幅度
 

04 結(jié)論
本研究使用TMS在時(shí)間進(jìn)程上擾亂了左下額葉交界處的功能，揭示了在T1出現(xiàn)后對(duì)左下額葉交界處進(jìn)行TMS刺激可以減少注意瞬脫缺損。這表明在注意瞬脫現(xiàn)象中，左下額葉交界處的功能可能與右頂葉下葉或右頂葉內(nèi)溝不同，扮演了抑制控制的角色，即在鞏固了T1后，左下額葉交界處積極地抑制了干擾子的加工，從而分配更多資源用于T2的加工。

05 參考文獻(xiàn)及DOI號(hào)

Zhou, L., Zhen, Z., Liu, J., & Zhou, K. (2020). Brain Structure and Functional Connectivity Associated with Individual Differences in the Attentional Blink. Cerebral Cortex, 30(12), 6224-6237.

Doi: 10.1093/cercor/bhaa180