振蕩剪切應力調(diào)節(jié)Notch介導的腦動靜脈畸形內(nèi)皮間充質(zhì)可塑性
動靜脈畸形 （AVMs） 是由供血動脈和引流靜脈之間的直接連接引起的局部血管異常，沒有中間毛細血管網(wǎng)絡(luò)。腦部動靜脈畸形可導致廣泛的器官損傷，繼發(fā)于癲癇和自發(fā)性顱內(nèi)出血。然而，由于腦AVMs（cAVMs）病灶的復雜血管特性，該疾病的分子發(fā)病機制尚未確定。
最近的研究發(fā)現(xiàn)，內(nèi)皮到間充質(zhì)轉(zhuǎn)化（EndMT）可導致AVM病灶的形成。EndMT過程與內(nèi)皮細胞對間充質(zhì)標志物的表達有關(guān)，表現(xiàn)為EC的增殖和侵襲、EC連接紊亂和形成梭形狀。然而，EndMT的潛在機制和觸發(fā)因素是模糊的。Notch信號通路是一種重要的生物學通路，它將血流動力學機械信號與生化信號級聯(lián)聯(lián)系起來，并決定細胞命運。值得注意的是，增強和減弱的Notch信號通路都與動靜脈分流的發(fā)展有關(guān)。由于直接動靜脈分流和病灶形成，AVMs的血流動力學發(fā)生高度改變。血流紊亂已被證明對血管內(nèi)皮層有深遠影響。鑒定響應擾動流而觸發(fā) EndMT 的調(diào)節(jié)分子可能為治療 cAVM 的藥理學方法提供新的見解。
在印度拉吉夫甘地生物技術(shù)中心、Sree Chitra Tirunal醫(yī)學科學和技術(shù)研究所等研究團隊的一項最新研究中，觀察到人類cAVM病灶中存在活化的Notch受體和EndMT標志物，還發(fā)現(xiàn)AVM病灶樣品中細胞粘附分子的失調(diào)。使用體外流體模型，該研究為內(nèi)皮細胞中剪切應力-Notch3-EndMT軸的改變提供了證據(jù)。Notch信號在感知剪切應力波動和將細胞編程成間充質(zhì)特征方面起著關(guān)鍵的中介作用，他們發(fā)現(xiàn)剪切應力誘導的細胞侵襲性改變需要活躍的Notch信號。此外，還探討了γ-分泌酶抑制劑（GSI）、DAPT和RO4929097在剪切應力改變的情況下預防Notch誘導的EndMT和細胞侵襲的效用。
cAVM病灶中EndMT和細胞粘附標志物的失調(diào)
早期研究表明，cAVM病灶的主要血管具有動脈、靜脈、毛細血管以及內(nèi)皮標志物。經(jīng)歷間充質(zhì)轉(zhuǎn)化的內(nèi)皮細胞表現(xiàn)出改變的形態(tài)特征，隨后間充質(zhì)蛋白如轉(zhuǎn)凝蛋白（SM22-α）、鈣調(diào)蛋白等增加。實驗觀察到，在mRNA轉(zhuǎn)錄本水平上，SNAI1、Slug（SNAI2）、轉(zhuǎn)凝蛋白（TAGLN）和鈣調(diào)蛋白1（CNN1）在cAVM樣本中高表達。與對照相比，SNAI2在cAVM中的表達比SNAI1更突出（圖1 A）。
在EndMT過程中，內(nèi)皮細胞和基底膜的細胞-細胞和細胞-ECM粘附將被破壞。這些分子變化促進了內(nèi)皮細胞的侵襲性。因此，研究了cAVM病灶中鈣粘蛋白和整合素等粘附因子的表達。VE-鈣粘蛋白（CDH5）在患者樣本中下調(diào)，而cAVMs中的N-鈣粘蛋白（CDH2）mRNA上調(diào)。整合素α9亞基（ITGA9）mRNA在cAVMs中過表達，但整合素β1（ITGB1）mRNA降低。
此外，在AVM和對照組織中進行了基于免疫組織化學染色的EndMT蛋白表達和定位分析。實驗觀察到在AVM大血管的內(nèi)膜區(qū)域存在SNAI1/2的過表達（圖1 B）。 SNAI1/2在對照腦血管系統(tǒng)中不表達。與對照組相比，nidal樣本中的SNAI1/2增加了約4倍（圖1 C）。鈣調(diào)蛋白1和轉(zhuǎn)凝蛋白在 cAVM 血管巢的內(nèi)膜和中膜中均強烈表達。轉(zhuǎn)凝蛋白表達存在于對照組的小血管中，但鈣調(diào)蛋白1在對照血管系統(tǒng)中不表達。
N-鈣粘蛋白定位于病灶組織的新生內(nèi)膜區(qū)域，在對照標本中未觀察到。也沒有在任何患者樣本的內(nèi)層中觀察到N-鈣粘蛋白。與對照血管系統(tǒng)相比，發(fā)現(xiàn)整合素的活化形式α9/β1在cAVM病灶中下調(diào)。
腦動靜脈畸形表達更高水平的NICD3和NICD4
實驗最初研究了cAVM病灶中所有四個Notch受體基因Notch 1-4的表達，發(fā)現(xiàn)Notch3和Notch4 mRNA在病灶標本中顯著過表達。然后專門研究了激活的Notch受體的表達，即cAVM組織切片和對照腦樣本中的Notch細胞內(nèi)結(jié)構(gòu)域（NICD）。NICD3被發(fā)現(xiàn)高度表達并定位于血管巢的內(nèi)膜和中膜，表明EndMT。cAVM中的NICD4受體水平較低，并且呈彌散模式，更靠近內(nèi)膜，較少在中膜分布。蛋白質(zhì)印跡分析進一步證實了AVM病灶中NICD3的表達升高。
振蕩流促進 γ-分泌酶依賴性 Notch 受體的激活
為了確定內(nèi)皮細胞中是否發(fā)生振蕩剪切應力依賴性Notch受體活化，實驗使用流動室在暴露于規(guī)定流動條件下的hCMECs中進行基于qRT-PCR的mRNA分析和蛋白質(zhì)免疫熒光測定，分析了暴露于平行剪切應力（15 dyn/cm2）24 h的hCMECs中的基因表達譜。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，Notch1-4在平行單向流動條件下的mRNA表達與靜態(tài)流動條件下的表達沒有顯著差異（圖2 A）。與靜態(tài)相比，振蕩流（15 dyn/cm2）誘導內(nèi)皮細胞中Notch3（4.11倍）和Notch4（2.06倍）mRNA的過表達。與暴露于平行流的細胞相比，振蕩流分別導致Notch3和Notch4增加了3.2倍和1.96倍。與靜態(tài)條件相比，平行流和振蕩流均未在hCMECs中誘導顯著的Notch1和Notch2表達（圖2 A）。
接下來，研究了暴露于各種流動條件的 hCMECs 中的 NICD 1、3 和 4 蛋白水平表達及其細胞定位。與平行流和靜態(tài)條件相比，暴露于振蕩剪切應力的內(nèi)皮細胞中存在NICD3的過表達。振蕩剪切應力通過促進NICD3的核定位改變了Notch3受體的亞細胞定位。還發(fā)現(xiàn)細胞在24小時后以紡錘狀形態(tài)拉長。NICD4表達略有升高，但定位主要是細胞質(zhì)。NICD1在三種流動條件下的細胞中均未顯著表達，但MFI分析表明暴露于振蕩流的細胞中略有過表達（圖2 B、C）。
此外，還研究了振蕩剪切應力是否通過誘導γ分泌酶活性直接誘導Notch受體激活，用0.5µM DAPT和250 nM RO4929097對暴露于振蕩流24 h 的hCMECs進行處理。兩種抑制劑都對hCMECs中γ-分泌酶誘導的Notch3受體的剪切應力反應產(chǎn)生了負面影響（圖2 D）。然而，RO4929097更具有統(tǒng)計學意義（圖2 E）。蛋白質(zhì)印跡分析進一步證實了暴露于振蕩流的細胞中NICD3蛋白水平表達升高（圖2 F）。
振蕩流誘導的 EndMT 需要 Notch 受體激活
hCMECs被用來研究振蕩剪切應力下內(nèi)皮標志物的喪失和間充質(zhì)特征的增強。mRNA表達分析顯示，與靜態(tài)相比，暴露于振蕩剪切應力的細胞中間充質(zhì)CNN1和TAGLN上調(diào)。關(guān)鍵的EndMT標記物SNAI1和SNAI2的mRNA在振蕩流暴露細胞中也分別過表達3.59倍和3.83倍（圖3 A）。在暴露于振蕩流的細胞中，與SNAI1相比，Slug表達略高，證實了cAVM中的發(fā)現(xiàn)。
對暴露于靜態(tài)、平行和振蕩剪切應力的hCMECs中的SNAI1/2進行免疫熒光分析。與其他流動狀態(tài)相比，SNAI1/2 在振蕩流的細胞中過表達并定位于細胞核（圖3 B）。MFI分析表明，與靜態(tài)流和平行流相比，SNAI1/2表達分別增加了3.8倍和3.1倍（圖3 C）。
為了評估hCMECs中Notch通路在剪切應力誘導的EndMT中的參與，在振蕩流過程中使用了GSI DAPT（0.5μM）和RO4929097（250 nM），并監(jiān)測EndMT因子的表達。在振蕩應力期間SNAI1/2在DAPT和RO4929097 下分別降低了約60%和80%，而抑制Notch受體切割消除了此影響（圖4 A、B）。這些數(shù)據(jù)表明，振蕩剪切應力誘導的EndMT需要Notch 信號。γ-分泌酶抑制劑RO4929097在改變流動條件下減少內(nèi)皮細胞的間充質(zhì)表型非常有效。
RO4929097促進細胞粘附并減少暴露于振蕩流細胞的侵襲性
為了證實cAVM組織中細胞粘附因子失調(diào)的發(fā)現(xiàn)，通過qRT-PCR研究了暴露于各種流動條件的內(nèi)皮細胞中內(nèi)皮VE-鈣粘蛋白，間充質(zhì)N-鈣粘蛋白和整合素亞基α9和β1的基因的mRNA表達。在暴露于振蕩剪切應力的細胞中N-鈣粘蛋白和整合素α9上調(diào)，而VE-鈣粘蛋白和整合素β1下調(diào)（圖3 A）。
暴露于剪切應力條件的細胞中這些粘附因子的免疫熒光測定表明，與暴露于靜態(tài)和平行剪切應力的細胞相比，振蕩剪切應力下的細胞中N-鈣粘蛋白上調(diào)。在暴露于振蕩流24 h 的細胞中發(fā)現(xiàn)激活的整合素α9/ β1顯著降低（圖3 B、C）。
DAPT和RO4929097顯著降低了暴露于持續(xù)振蕩流的細胞中的N-鈣粘蛋白。有趣的是，在DAPT和RO4929097 存在下，整合素α9/ β1表達分別增加了45.5%和56.7%（圖4 A、B）。
細胞侵襲性增加是EndMT的一個重要結(jié)果。為了研究hCMECs在流動狀態(tài)下的侵襲特性，使用Matrigel跨膜侵襲測定。先前將細胞暴露于振蕩剪切應力24小時誘導內(nèi)皮侵襲性增加，DAPT和RO4929097均基本阻斷了內(nèi)皮細胞的侵襲性（圖4 C）。與DAPT相比，RO4929097有效防止細胞侵襲（圖4 D）。這一發(fā)現(xiàn)表明，靶向Notch信號通路的藥物干預可以有效降低血流誘導的血管內(nèi)皮細胞侵襲能力和EndMT。
總之，該研究表明，在人類cAVM病灶中存在Notch受體和EndMT標志物。這是第一份報告，表明改變的血流誘導的Notch信號導致cAVMs中的EndMT，提供了Notch信號在內(nèi)皮細胞暴露于干擾流中增強細胞侵襲性的直接作用的證據(jù)。
參考文獻：Karthika CL, Venugopal V, Sreelakshmi BJ, Krithika S, Thomas JM, Abraham M, Kartha CC, Rajavelu A, Sumi S. Oscillatory shear stress modulates Notch-mediated endothelial mesenchymal plasticity in cerebral arteriovenous malformations. Cell Mol Biol Lett. 2023 Mar 18;28(1):22. doi: 10.1186/s11658-023-00436-x. PMID: 36934253; PMCID: PMC10024393.
小編旨在分享、學習、交流生物科學等領(lǐng)域的研究進展。如有侵權(quán)或引文不當請聯(lián)系小編修正。
微信搜索公眾號“Naturethink”，了解更多細胞體外仿生培養(yǎng)技術(shù)及應用。
最近的研究發(fā)現(xiàn)，內(nèi)皮到間充質(zhì)轉(zhuǎn)化（EndMT）可導致AVM病灶的形成。EndMT過程與內(nèi)皮細胞對間充質(zhì)標志物的表達有關(guān)，表現(xiàn)為EC的增殖和侵襲、EC連接紊亂和形成梭形狀。然而，EndMT的潛在機制和觸發(fā)因素是模糊的。Notch信號通路是一種重要的生物學通路，它將血流動力學機械信號與生化信號級聯(lián)聯(lián)系起來，并決定細胞命運。值得注意的是，增強和減弱的Notch信號通路都與動靜脈分流的發(fā)展有關(guān)。由于直接動靜脈分流和病灶形成，AVMs的血流動力學發(fā)生高度改變。血流紊亂已被證明對血管內(nèi)皮層有深遠影響。鑒定響應擾動流而觸發(fā) EndMT 的調(diào)節(jié)分子可能為治療 cAVM 的藥理學方法提供新的見解。
在印度拉吉夫甘地生物技術(shù)中心、Sree Chitra Tirunal醫(yī)學科學和技術(shù)研究所等研究團隊的一項最新研究中，觀察到人類cAVM病灶中存在活化的Notch受體和EndMT標志物，還發(fā)現(xiàn)AVM病灶樣品中細胞粘附分子的失調(diào)。使用體外流體模型，該研究為內(nèi)皮細胞中剪切應力-Notch3-EndMT軸的改變提供了證據(jù)。Notch信號在感知剪切應力波動和將細胞編程成間充質(zhì)特征方面起著關(guān)鍵的中介作用，他們發(fā)現(xiàn)剪切應力誘導的細胞侵襲性改變需要活躍的Notch信號。此外，還探討了γ-分泌酶抑制劑（GSI）、DAPT和RO4929097在剪切應力改變的情況下預防Notch誘導的EndMT和細胞侵襲的效用。
cAVM病灶中EndMT和細胞粘附標志物的失調(diào)
早期研究表明，cAVM病灶的主要血管具有動脈、靜脈、毛細血管以及內(nèi)皮標志物。經(jīng)歷間充質(zhì)轉(zhuǎn)化的內(nèi)皮細胞表現(xiàn)出改變的形態(tài)特征，隨后間充質(zhì)蛋白如轉(zhuǎn)凝蛋白（SM22-α）、鈣調(diào)蛋白等增加。實驗觀察到，在mRNA轉(zhuǎn)錄本水平上，SNAI1、Slug（SNAI2）、轉(zhuǎn)凝蛋白（TAGLN）和鈣調(diào)蛋白1（CNN1）在cAVM樣本中高表達。與對照相比，SNAI2在cAVM中的表達比SNAI1更突出（圖1 A）。
在EndMT過程中，內(nèi)皮細胞和基底膜的細胞-細胞和細胞-ECM粘附將被破壞。這些分子變化促進了內(nèi)皮細胞的侵襲性。因此，研究了cAVM病灶中鈣粘蛋白和整合素等粘附因子的表達。VE-鈣粘蛋白（CDH5）在患者樣本中下調(diào)，而cAVMs中的N-鈣粘蛋白（CDH2）mRNA上調(diào)。整合素α9亞基（ITGA9）mRNA在cAVMs中過表達，但整合素β1（ITGB1）mRNA降低。
此外，在AVM和對照組織中進行了基于免疫組織化學染色的EndMT蛋白表達和定位分析。實驗觀察到在AVM大血管的內(nèi)膜區(qū)域存在SNAI1/2的過表達（圖1 B）。 SNAI1/2在對照腦血管系統(tǒng)中不表達。與對照組相比，nidal樣本中的SNAI1/2增加了約4倍（圖1 C）。鈣調(diào)蛋白1和轉(zhuǎn)凝蛋白在 cAVM 血管巢的內(nèi)膜和中膜中均強烈表達。轉(zhuǎn)凝蛋白表達存在于對照組的小血管中，但鈣調(diào)蛋白1在對照血管系統(tǒng)中不表達。
N-鈣粘蛋白定位于病灶組織的新生內(nèi)膜區(qū)域，在對照標本中未觀察到。也沒有在任何患者樣本的內(nèi)層中觀察到N-鈣粘蛋白。與對照血管系統(tǒng)相比，發(fā)現(xiàn)整合素的活化形式α9/β1在cAVM病灶中下調(diào)。
圖1 腦動靜脈畸形中 EndMT 和主要細胞粘附標志物的失調(diào)。
腦動靜脈畸形表達更高水平的NICD3和NICD4
實驗最初研究了cAVM病灶中所有四個Notch受體基因Notch 1-4的表達，發(fā)現(xiàn)Notch3和Notch4 mRNA在病灶標本中顯著過表達。然后專門研究了激活的Notch受體的表達，即cAVM組織切片和對照腦樣本中的Notch細胞內(nèi)結(jié)構(gòu)域（NICD）。NICD3被發(fā)現(xiàn)高度表達并定位于血管巢的內(nèi)膜和中膜，表明EndMT。cAVM中的NICD4受體水平較低，并且呈彌散模式，更靠近內(nèi)膜，較少在中膜分布。蛋白質(zhì)印跡分析進一步證實了AVM病灶中NICD3的表達升高。
振蕩流促進 γ-分泌酶依賴性 Notch 受體的激活
為了確定內(nèi)皮細胞中是否發(fā)生振蕩剪切應力依賴性Notch受體活化，實驗使用流動室在暴露于規(guī)定流動條件下的hCMECs中進行基于qRT-PCR的mRNA分析和蛋白質(zhì)免疫熒光測定，分析了暴露于平行剪切應力（15 dyn/cm2）24 h的hCMECs中的基因表達譜。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，Notch1-4在平行單向流動條件下的mRNA表達與靜態(tài)流動條件下的表達沒有顯著差異（圖2 A）。與靜態(tài)相比，振蕩流（15 dyn/cm2）誘導內(nèi)皮細胞中Notch3（4.11倍）和Notch4（2.06倍）mRNA的過表達。與暴露于平行流的細胞相比，振蕩流分別導致Notch3和Notch4增加了3.2倍和1.96倍。與靜態(tài)條件相比，平行流和振蕩流均未在hCMECs中誘導顯著的Notch1和Notch2表達（圖2 A）。
接下來，研究了暴露于各種流動條件的 hCMECs 中的 NICD 1、3 和 4 蛋白水平表達及其細胞定位。與平行流和靜態(tài)條件相比，暴露于振蕩剪切應力的內(nèi)皮細胞中存在NICD3的過表達。振蕩剪切應力通過促進NICD3的核定位改變了Notch3受體的亞細胞定位。還發(fā)現(xiàn)細胞在24小時后以紡錘狀形態(tài)拉長。NICD4表達略有升高，但定位主要是細胞質(zhì)。NICD1在三種流動條件下的細胞中均未顯著表達，但MFI分析表明暴露于振蕩流的細胞中略有過表達（圖2 B、C）。
此外，還研究了振蕩剪切應力是否通過誘導γ分泌酶活性直接誘導Notch受體激活，用0.5µM DAPT和250 nM RO4929097對暴露于振蕩流24 h 的hCMECs進行處理。兩種抑制劑都對hCMECs中γ-分泌酶誘導的Notch3受體的剪切應力反應產(chǎn)生了負面影響（圖2 D）。然而，RO4929097更具有統(tǒng)計學意義（圖2 E）。蛋白質(zhì)印跡分析進一步證實了暴露于振蕩流的細胞中NICD3蛋白水平表達升高（圖2 F）。
圖2 通過人腦微血管內(nèi)皮細胞（hCMEC/d3）中的振蕩液流激活Notch受體。
振蕩流誘導的 EndMT 需要 Notch 受體激活
hCMECs被用來研究振蕩剪切應力下內(nèi)皮標志物的喪失和間充質(zhì)特征的增強。mRNA表達分析顯示，與靜態(tài)相比，暴露于振蕩剪切應力的細胞中間充質(zhì)CNN1和TAGLN上調(diào)。關(guān)鍵的EndMT標記物SNAI1和SNAI2的mRNA在振蕩流暴露細胞中也分別過表達3.59倍和3.83倍（圖3 A）。在暴露于振蕩流的細胞中，與SNAI1相比，Slug表達略高，證實了cAVM中的發(fā)現(xiàn)。
對暴露于靜態(tài)、平行和振蕩剪切應力的hCMECs中的SNAI1/2進行免疫熒光分析。與其他流動狀態(tài)相比，SNAI1/2 在振蕩流的細胞中過表達并定位于細胞核（圖3 B）。MFI分析表明，與靜態(tài)流和平行流相比，SNAI1/2表達分別增加了3.8倍和3.1倍（圖3 C）。
為了評估hCMECs中Notch通路在剪切應力誘導的EndMT中的參與，在振蕩流過程中使用了GSI DAPT（0.5μM）和RO4929097（250 nM），并監(jiān)測EndMT因子的表達。在振蕩應力期間SNAI1/2在DAPT和RO4929097 下分別降低了約60%和80%，而抑制Notch受體切割消除了此影響（圖4 A、B）。這些數(shù)據(jù)表明，振蕩剪切應力誘導的EndMT需要Notch 信號。γ-分泌酶抑制劑RO4929097在改變流動條件下減少內(nèi)皮細胞的間充質(zhì)表型非常有效。
圖3 微血管內(nèi)皮細胞中的振蕩流對 EndMT 和細胞粘附標志物的差異表達。
圖4 γ-分泌酶抑制劑（GSI）調(diào)節(jié)振蕩剪切誘導的EndMT和細胞侵襲性。
RO4929097促進細胞粘附并減少暴露于振蕩流細胞的侵襲性
為了證實cAVM組織中細胞粘附因子失調(diào)的發(fā)現(xiàn)，通過qRT-PCR研究了暴露于各種流動條件的內(nèi)皮細胞中內(nèi)皮VE-鈣粘蛋白，間充質(zhì)N-鈣粘蛋白和整合素亞基α9和β1的基因的mRNA表達。在暴露于振蕩剪切應力的細胞中N-鈣粘蛋白和整合素α9上調(diào)，而VE-鈣粘蛋白和整合素β1下調(diào)（圖3 A）。
暴露于剪切應力條件的細胞中這些粘附因子的免疫熒光測定表明，與暴露于靜態(tài)和平行剪切應力的細胞相比，振蕩剪切應力下的細胞中N-鈣粘蛋白上調(diào)。在暴露于振蕩流24 h 的細胞中發(fā)現(xiàn)激活的整合素α9/ β1顯著降低（圖3 B、C）。
DAPT和RO4929097顯著降低了暴露于持續(xù)振蕩流的細胞中的N-鈣粘蛋白。有趣的是，在DAPT和RO4929097 存在下，整合素α9/ β1表達分別增加了45.5%和56.7%（圖4 A、B）。
細胞侵襲性增加是EndMT的一個重要結(jié)果。為了研究hCMECs在流動狀態(tài)下的侵襲特性，使用Matrigel跨膜侵襲測定。先前將細胞暴露于振蕩剪切應力24小時誘導內(nèi)皮侵襲性增加，DAPT和RO4929097均基本阻斷了內(nèi)皮細胞的侵襲性（圖4 C）。與DAPT相比，RO4929097有效防止細胞侵襲（圖4 D）。這一發(fā)現(xiàn)表明，靶向Notch信號通路的藥物干預可以有效降低血流誘導的血管內(nèi)皮細胞侵襲能力和EndMT。
圖5 圖形概要
總之，該研究表明，在人類cAVM病灶中存在Notch受體和EndMT標志物。這是第一份報告，表明改變的血流誘導的Notch信號導致cAVMs中的EndMT，提供了Notch信號在內(nèi)皮細胞暴露于干擾流中增強細胞侵襲性的直接作用的證據(jù)。
參考文獻：Karthika CL, Venugopal V, Sreelakshmi BJ, Krithika S, Thomas JM, Abraham M, Kartha CC, Rajavelu A, Sumi S. Oscillatory shear stress modulates Notch-mediated endothelial mesenchymal plasticity in cerebral arteriovenous malformations. Cell Mol Biol Lett. 2023 Mar 18;28(1):22. doi: 10.1186/s11658-023-00436-x. PMID: 36934253; PMCID: PMC10024393.
小編旨在分享、學習、交流生物科學等領(lǐng)域的研究進展。如有侵權(quán)或引文不當請聯(lián)系小編修正。
微信搜索公眾號“Naturethink”，了解更多細胞體外仿生培養(yǎng)技術(shù)及應用。
Copyright(C) 1998-2025 生物器材網(wǎng) 電話：021-64166852;13621656896 E-mail：info@bio-equip.com